台积电在官方网站透露，2纳米技术已经在2025年的第四季度开始量产。

新加坡《联合早报》报道，台积电官网显示，2纳米技术已如期于2025年第四季开始量产。官网声明未注明日期。

声明指出，公司补充说，这款芯片在晶体管密度和能源效率上，均使用了最为先进的半导体技术。

另据香港中通社报道，据韩国媒体披露，台积电正加速其在美国亚利桑那州生产基地的技术推进进程，计划将3纳米制程的大规模生产启动时间提前至2027年，较最初规划提前约一年。

日本媒体也指出，台积电2026年夏季将在美国亚利桑那州第二座厂，安装3纳米芯片制造设备，目标是2027年启动3纳米芯片量产，比原订的2028年提早一年。符合台积电董事长暨执行长魏哲家先前喊出的将美国量产时程“提前数季”的目标。

近年来，台积电加速海外扩张战略，在美国亚利桑那州的项目是其扩张战略的重要一环。据了解，台积电位于该州的第一座芯片厂已实现4纳米制程并正式投产；第二座工厂则专注3纳米制程工艺，且目标年份定于2027年。

为加速先进制程在美国落地，台积电也同步启动人才培训计划，分批派遣数百名亚利桑那厂工程师返台，接受3纳米与2纳米制程训练，为后续试产与量产做好准备。

有分析指出，台积电加速扩张计划的原因在于市场对于先进制程的需求持续高涨，以及美国“先进制程回流”策略的压力。在人工智能热潮未消退的情况下，台积电竞争对手专注先进制程的研发制造。有消息称，英特尔亚利桑那新芯片厂18A先进制程已进入量产阶段；三星美国厂打算跳过原本的4纳米技术，直接导入2纳米制程。

此外，美国政府持续推动“芯片法案”，希望吸引先进制程回流本土。美国商务部长卢特尼克近日接受美媒访问时直言，会让台积电在美国设厂投资超过2000亿美元，创造3万个工作机会。这一言论导致台湾各界对台积电变成“美积电”的疑虑加剧，担忧会削弱台湾的产业优势。